NXP Semiconductors
1PS79SB30
Schottky barrier single diode
1PS79SB30
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Product data sheet
24 July 2012
3
/
8
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF
= 0.1 mA; T
amb
= 25 °C
-
190
220
mV
IF
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
-
250
290
mV
IF
= 10 mA; T
amb
= 25 °C
-
320
360
mV
IF
= 100 mA; T
amb
= 25 °C
-
440
500
mV
VF
forward voltage
IF
= 200 mA; T
amb
= 25 °C
-
520
600
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; T
amb
= 25 °C; pulsed;
tp
= 300 μs; δ
= 0.02
-
-
0.5
μA
Cd
diode capacitance
f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C; V
R
= 1 V
-
-
20
pF
mld546
1.2
0.8
0.4
0
(1)
(3)
VF
(V)
IF
(mA)
103
102
10
1
10-1
(2)
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
mld547
)
40
20
10
0
0
VR
(V
IR
(μA)
3
103
102
10
1
10-
1
(1)
(2)
(3)
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 2.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
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